由于在后继外延工艺中，生长薄膜时硅片背面边缘会集富一层多晶硅，与正面边缘形成台阶影响下一步的光刻对准（工艺），为此，越来越多的外延要求对重掺衬底硅片的背封层SiO2进行边缘去除0.3～2mm左右，即边缘剥离。边缘剥离利用HF与SiO2进行反应腐蚀，其剥离宽度根据不同客户规格进行控制。